赤崎勇（日语平假名：あかさき いさむ，英语：Isamu Akasaki，1929年1月30日—2021年4月1日），出生于日本鹿儿岛县知览町，诺贝尔物理学奖得主，美国国家工程院外籍院士，日本学士院院士，名古屋大学杰出教授。赤崎勇于1952年3月获得京都大学理学学士学位；1952年4月至1959年3月担任神户工业公司（现为富士通公司）研究人员；1959年4月至1964年3月历任名古屋大学电子学系研究助理、助理教授和副教授；1964年3月获得名古屋大学电子学博士学位；1964年4月至1974年4月担任松下电子工业公司基础研究第四实验室负责人；1974年5月至1981年7月担任松下电子工业公司半导体部门总经理；1981年8月至1992年3月担任名古屋大学电子学系教授；1992年4月成为名古屋大学名誉教授，同月担任名城大学理工研究生院教授；1999年1月当选为国际电气与电子工程师学会会士；2001年4月成为名古屋大学赤崎研究中心研究员；2004年12月成为名古屋大学大学杰出教授；2008年10月当选为美国国家工程院外籍院士；2010年被名古屋大学返聘为教授，同年被名城大学聘为教授；2011年4月出任名城大学氮化物半导体核心技术研究中心主任；2013年1月当选为国际电气与电子工程师学会终身会士（IEEE Life Fellow）；2014年12月获得诺贝尔物理学奖，同年当选为日本学士院院士；2021年4月1日在名古屋去世，享年92岁。赤崎勇主要致力于半导体材料的研究。

中文名：赤崎勇

外文名：あかさき いさむIsamu Akasaki

国籍：日本

出生地：日本鹿儿岛县知览町

出生日期：1929年1月30日

逝世日期：2021年4月1日

毕业院校：名古屋大学

职业：教育科研工作者

主要成就：1999年1月当选为国际电气与电子工程师学会会士（IEEE Fellow）2008年10月当选为美国国家工程院外籍院士2013年1月当选为国际电气与电子工程师学会终身会士（IEEE Life Fellow）2014年当选为日本学士院院士2014年12月获得诺贝尔物理学奖

学历：研究生

学位：博士

1929年1月30日，赤崎勇出生于日本鹿儿岛县知览町。

1952年3月，获得京都大学理学学士学位。

1952年4月—1959年3月，担任神户工业公司（现为富士通公司）研究人员。

1959年4月—1964年3月，历任名古屋大学电子学系研究助理、助理教授和副教授。

1964年3月，获得名古屋大学电子学博士学位。

1964年4月—1974年4月，担任松下电子工业公司基础研究第四实验室负责人。

1974年5月—1981年7月，担任松下电子工业公司半导体部门总经理。

1981年8月—1992年3月，担任名古屋大学电子学系教授。

1987年3月—1990年9月，担任日本科学技术振兴机构（JST）“基于氮化镓（GaN）的蓝色发光二极管的研究与开发”项目的负责人。

1992年4月，成为名古屋大学名誉教授，同月担任名城大学理工研究生院教授。

1993年3月—1999年9月，担任日本科学技术振兴机构“基于GaN的短波长半导体激光二极管的研究与开发”项目的负责人。

1996年7月—2001年3月，担任日本学术振兴会“未来计划”项目的负责人。

1996年7月—2004年3月，担任文部科学省（MEXT）赞助的名城大学高科技研究中心项目负责人。

1998年11月，成为日本芬兰研究所成员。

1999年1月，当选为国际电气与电子工程师学会会士（IEEE Fellow）。

2001年4月，成为名古屋大学赤崎研究中心研究员。

2004年12月，成为名古屋大学大学杰出教授。

2008年10月，当选为美国国家工程院外籍院士。

2010年，被名古屋大学返聘为教授，同年被名城大学聘为教授。

2011年4月，出任名城大学氮化物半导体核心技术研究中心主任。

2013年1月，当选为国际电气与电子工程师学会终身会士（IEEE Life Fellow）。

2014年12月，获得诺贝尔物理学奖，同年当选为日本学士院院士。

2021年4月1日，在名古屋去世，享年92岁。

科研成就

科研综述

赤崎勇及其团队在氮化物半导体领域取得的科学成就被广泛应用于氮化镓（GaN）基发光二极管（LED）的生产，这些LED已逐渐被用于全球的通用照明应用中。

赤崎勇在1970年代中期开始氮化物半导体的研究。经过多次尝试后，赤崎勇于1979年决定采用有机金属化学气相沉积（OMVPE/MOVPE/MOCVD）方法，这在当时被认为是一种非传统的尝试。为了克服GaN外延层与蓝宝石基板之间的巨大晶格失配问题，他在约500°C的低温下引入了一层薄的缓冲层，然后在约1000°C的高温下生长GaN。1986年，他成功生长出高质量的GaN外延层。

1989年，他发现了通过镁掺杂和后处理实现的p型GaN的导电性，并推翻了此前研究人员普遍认为p型GaN在理论上是不可能实现的观点。同年，他展示了世界上第一个p-n结蓝色LED。1990年，他的团队在室温下实现了GaN的紫外受激发射，这对于激光二极管的发展至关重要，并在同年实现了n型GaN的导电性控制。

自此之后，赤崎勇继续在氮化物半导体研究中发挥领导作用，并在材料科学领域作出了进一步的贡献，包括验证量子尺寸效应、阐明压电极化机制以及进一步提高氮化物合金的晶体质量。这些科学和技术成就已成为氮化物基器件生产的全球标准。

1993年，一家日本公司宣布首次生产基于氮化物的蓝色LED。这一成功建立在赤崎勇的研究成果基础上。通过蓝色LED、白色LED、蓝色激光二极管和高频晶体管的商业化应用，他的研究成果得到了进一步的认可。

学术论文

截至2014年7月，赤崎勇已发表700多篇期刊和会议论文。

日本学士院精选出版物

发表时间

文章标题

刊物名称

1967年

Infrared lattice vibration of vapour-grown AlN

《固态通信》（Solid State Communications）

1981年

Fabrication and properties of a practical blue-emitting GaN m-i-s diode

《物理学会会议系列》（Institute of Physics Conference Series）

1986年

Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer

《应用物理快报》（Applied Physics Letters）

1989年

Effects of AlN buffer layer on crystallographic structure and on electrical and optical properties of GaN and Ga1-xAlxN (0<x≦0.4) films grown on sapphire substrate by MOVPE

《晶体生长杂志》（Journal of Crystal Growth）

1989年

P-type conduction in Mg-doped GaN treated with low-energy electron beam irradiation (LEEBI)

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

1990年

Stimulated emission near ultraviolet at room temperature from a GaN film grown on sapphire by MOVPE using an AlN buffer layer

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

1991年

Photoluminescence of Mg doped p-type GaN and electroluminescence of GaN p-n junction LED

《晶体生长杂志》（Journal of Crystal Growth）

1991年

Growth of Si-doped AlxGa1-xN on (0001) sapphire substrate by metalorganic vapor phase epitaxy

《晶体生长杂志》（Journal of Crystal Growth）

1994年

MOVPE growth of high quality AlxGa1-xN/GayIn1-yN (x>0, y<1) heterostructures for short wavelength light emitter

《材料研究学会会议论文集》（Materials Research Society Symposium Proceedings）

1995年

p-type conduction in Mg-doped Ga0.91In0.09N grown by metalorganic vapor-phase epitaxy

《应用物理快报》（Applied Physics Letters）

1995年

Stimulated emission by current injection from an AlGaN/GaN/GaInN quantum well device

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

1996年

Shortest wavelength semiconductor laser diode

《电子快报》（Electronics Letters）

1997年

Quantum-confined stark effect due to piezoelectric fields in GaInN strained quantum wells

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

2000年

Theoretical study of orientation dependence of piezoelectric effects in wurtzite strained GaInN/GaN heterostructures and quantum wells

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

2000年

Solar-blind UV photodetectors based on GaN/AlGaN p-i-n photodiodes

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

2006年

High On/Off ratio in enhancement-mode AlxGa1-xN/GaN junction heterostructure field-effect transistors with p-type GaN gate contact

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

2012年

White light-emitting diode based on fluorescent SiC

《薄膜固态薄膜》（Thin Solid Films）

2012年

Correlation between device performance and defects in GaInN-based solar cells

《应用物理快报》（Applied Physics Express）

2013年

Nitride-based hetero-field-effect transistor-type photosensors with extremely high photosensitivity

《物理状态固体》（Physica Status Solidi RRL）

2013年

GaInN-based tunnel junctions in n–p–n light emitting diodes

《日本应用物理学杂志》（Japanese Journal of Applied Physics）

参考资料：

人才培养

培养成果

赤崎勇的学生天野浩，于1979年进入名古屋大学电气工程系学习，并在赤崎勇的实验室开始研究氮化镓基蓝光发光二极管（LED），他们通过在蓝宝石基板上使用铝氮化物层并生长高质量的氮化镓晶体，首次成功制造出高质量的蓝光LED。并于2014年与中村修二共享了诺贝尔物理学奖。

荣誉表彰

获奖时间

荣誉表彰

授予单位

1991年5月

中日文化奖

中日新闻社

1995年8月

海因里希·威尔克奖章

国际化合物半导体研讨会

1996年11月

IEEE/LEOS工程成就奖

国际电气与电子工程师学会（IEEE）激光与电光学会

1997年11月

紫绶褒章

日本政府

1998年7月

井上春重奖

日本科学技术振兴机构与丰田合成公司

1998年7月

劳迪斯奖

国际晶体生长组织

1998年11月

C&C奖

日本电气股份有限公司计算与通信（NEC C&C）促进基金会

1998年12月

杰克·A·莫顿奖

国际电气与电子工程师学会

1998年12月

兰克奖

兰克基金会

1999年1月

国际电气与电子工程师学会会士

国际电气与电子工程师学会

1999年5月

固态科学与技术奖

电化学学会

1999年7月

蒙彼利埃荣誉市民

法国蒙彼利埃市政府

1999年11月

蒙彼利埃大学名誉博士学位

法国蒙彼利埃第二大学

2000年3月

东丽科学技术奖

东丽科学基金会

2001年1月

朝日奖

朝日新闻社

2001年5月

林雪平大学名誉博士学位

瑞典林雪平大学

2002年3月

杰出成就奖

日本应用物理学会

2002年6月

藤原奖

藤原科学基金会

2002年11月

旭日中绶章

日本政府

2002年11月

武田奖

武田财团

2003年9月

SSDM奖

国际固态器件与材料会议

2004年11月

文化功勋者

日本政府

2006年3月

约翰·巴丁奖

矿物、金属与材料学会

2008年10月

美国国家工程院外籍院士

美国国家工程院

2009年11月

京都奖

稻盛财团

2011年8月

爱迪生奖

国际电气与电子工程师学会

2011年9月

知识产权活动特别奖

日本科学技术振兴机构

2011年11月

文化勋章

日本天皇

2012年12月

南九州市荣誉市民

南九州市

2013年1月

国际电气与电子工程师学会终身会士（IEEE Life Fellow）

国际电气与电子工程师学会

2013年5月

卡尔·费迪南德·布劳恩奖

信息显示学会

2014年5月

大川出版奖

大川基金会

2014年7月

恩赐奖及日本学士院奖

日本学士院

2014年12月

诺贝尔物理学奖

瑞典皇家科学院

2014年12月

日本学士院院士

日本学士院

2015年2月

查尔斯·斯塔克·德雷珀奖

美国国家工程院

参考资料：

任职时间

任职单位

担任职务

1995年4月—1996年3月

北海道大学界面量子电子学研究中心

客座教授

2002年4月—2004年3月

日本科学技术振兴机构

理事

2003年4月—2006年3月

日本经济产业省

基于氮化物半导体的无线设备研发战略委员会主席

参考资料：

（赤崎勇）被认为是开发基于氮化镓的蓝色LED的先驱（a result of his recognition as a pioneer in developing the GaN-based blue LED）。（日本学士院评）

（赤崎勇是）蓝光LED的先驱（the pioneer of the blue LED/pioneer of blue LEDs）。（诺贝尔基金会/美国国家工程院评）